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[发明专利]改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法-CN201610612979.7在审
发明人：刘涛;黄彪;刘玮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法。根据本发明的改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法包括：将硅片布置在浅沟槽隔离工艺机台内，其中采用静电吸盘固定硅片；执行浅沟槽隔离工艺的同时，在静电吸盘的与硅片相对的表面通惰性气体，以带走静电吸盘表面的重金属元素；利用真空泵抽走浅沟槽隔离工艺机台内的空气。
改善沟槽隔离金属污染方法集成电路制造

[发明专利]一种无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺-CN201110250261.5有效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺，其通过在位于有源区之间的沟槽中插入平衡密度控制图形，而后再在其上淀积一层绝缘薄膜，在简化传统的浅沟槽隔离工艺的同时，可以避免有源区在化学机械抛光过程中出现过磨削现象，进而实现了无化学机械抛光的浅沟槽隔离工艺，工艺过程简单易控制。
一种化学机械抛光沟槽隔离工艺

[发明专利]浅沟槽隔离工艺的监测版图及监测方法-CN200610118816.X有效
发明人：刘明源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离工艺的监测版图，用于监测浅沟槽隔离的工艺窗口，包括：复数组图案用于监测刻蚀工艺窗口，每一组图案包括复数个间隔分布的线条图形和开口图形，线条图形用于形成有源区，开口图形用于形成浅沟槽隔离；一种应用所述监测版图监测浅沟槽隔离工艺窗口的方法，包括：将所述监测版图通过光刻刻蚀转移半导体基底中形成沟槽，在所述沟槽中沉积介质层并进行平坦化，对刻蚀、沉积、平坦化后的半导体基底分别切割，形成断面，可监测浅沟槽隔离工艺刻蚀、沉积、化学机械研磨的工艺窗口
沟槽隔离工艺监测版图方法

[发明专利]一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法-CN201810079400.4在审
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，包括以下步骤：a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；c、采用等离子体对晶圆外延层进行刻蚀，形成一定深度的台面；d、采用等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入负电荷补偿中心；e、去除光刻胶，完成器件隔离工艺。本发明采用GaN台面隔离技术与F基等离子体注入结合的方式，可有效提升器件隔离效果；该方法与台面隔离工艺一致、与注入隔离工艺类似，不会引入额外的工艺步骤。
台面晶圆等离子体氮化镓晶体管晶圆表面器件隔离光刻胶等离子体处理器件隔离工艺隔离晶体管区域正性光刻胶隔离工艺隔离技术隔离区域隔离效果工艺步骤区域暴露提升器件注入隔离负电荷外延层掺入后烘刻蚀去除显影旋涂掩膜遮挡应用清洗曝光引入保留

[实用新型]一种系统封装产品在线式清洗装置-CN202022375663.5有效
发明人：方敏;董辉 -专利权人：深圳市山木电子设备有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种系统封装产品在线式清洗装置，清洗装置包括机架、传送带、预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段、漂洗工艺段，所述传送带用于以一定的速度带动产品依次穿过所述预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段、漂洗工艺段来完成清洗操作；于所述预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段的下方设有一个清洗液槽，用于装清洗液；所述预清洗工艺段以及清洗工艺段均设有浸液箱用于浸泡所述预清洗腔室、清洗腔室内的产品。
一种系统封装产品在线清洗装置

[发明专利]一种系统封装产品在线式清洗装置及清洗工艺-CN202011139223.8有效
发明人：方敏;董辉 -专利权人：深圳市山木电子设备有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种系统封装产品在线式清洗装置及清洗工艺，清洗装置包括机架、传送带、预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段、漂洗工艺段，所述传送带用于以一定的速度带动产品依次穿过所述预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段、漂洗工艺段来完成清洗操作；于所述预清洗工艺段、清洗工艺段、化学隔离工艺段的下方设有一个清洗液槽，用于装清洗液；所述预清洗工艺段以及清洗工艺段均设有浸液箱用于浸泡所述预清洗腔室、清洗腔室内的产品；清洗工艺基于上述清洗装置。
一种系统封装产品在线清洗装置工艺

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN98102174.3无效
发明人：古贺洋贵 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-05-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：为提供一种半导体器件的制造方法，其中在该半导体器件的沟槽隔离工艺中，在沟槽中不形成任何空隙，而且沟槽的重复间距可以减少到光刻技术的极限，本发明的方法包括，在沟槽隔离工艺中，经一硬掩模蚀刻硅基片以形成沟槽的步骤
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种全隔离结构的制作方法-CN201210545605.X有效
发明人：储佳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种全隔离结构的制作方法，包括提供一个硅衬底；采用槽隔离工艺在硅衬底上形成隔离槽；刻蚀去除隔离槽内的部分氧化层；在硅衬底上沉积一层氮化硅；继续刻蚀去除隔离槽底部的氮化硅和槽内的部分氧化层；进行热氧工艺，在底层硅和顶层硅之间形成绝缘层；经槽隔离工艺，形成全隔离结构。本发明的制作方法，采用和标准COMS相兼容的工艺，直接在硅衬底上制备得到全隔离结构，避免了通常需要使用SOI衬底才能实现全隔离结构的弊端，不仅成本低、容易操作，并且得到的SOI衬底可靠性高。
一种隔离结构制作方法

[发明专利]一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法-CN201110232272.0无效
发明人：何伟明;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法。本发明公开了一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，通过在STI填充之前添加光刻和刻蚀工艺，垫高STI的底部，以降低其高宽比，从而在后续STI填充制程中减小因侧壁填充过快而封口产生空隙的几率，提升器件的性能和良率
一种提高高深隔离工艺填充性能方法

[发明专利]改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺-CN200810044072.0有效
发明人：钱文生;丁宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺，在传统浅槽隔离工艺生长隔离氧化层之前，先进行一步刻蚀硅片(10)形成硅片台阶(101)，然后将沟槽(102)的两侧壁刻蚀在硅片台阶(101)的两侧壁以内。按照上述方法制造的浅槽隔离结构，其填充氧化硅(14)的边缘将大大改善边缘凹陷结构，尽可能较小了其后形成的金属硅化物可能会沿着边缘凹陷结构向下延伸导致漏电流增大的不良影响。
改善边缘凹陷隔离工艺

[发明专利]半导体器件-CN200410056267.9无效
发明人：李佳媛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体器件，其可抑制当执行浅槽隔离工艺时，由于产生的有源槽沟(active moat)而增加的漏电流者，包括：藉由使用一可提供一微小隔离间距的浅槽隔离工艺来形成的隔离层；以及，多个通过由隔离层所定义的有源区的栅极，其中至少一栅极包含一形成在邻接于在有源区与隔离层之间的边界的栅极的横侧面的副栅极，其中副栅极有一较栅极的其余部分为长的长度。
半导体器件

[发明专利]一种超大规模集成电路隔离工艺的方法-CN200610030530.6无效
发明人：陈华伦;邝亚镭;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大规模集成电路隔离工艺的方法，除包括常规的浅沟漕隔离沟槽形成、沟槽二氧化硅淀积、化学机械抛光等工艺步骤外，还在沟槽二氧化硅淀积后，化学机械抛光前：首先在沟漕再淀积一层保护膜，然后进行图形刻蚀本发明可使浅沟漕隔离工艺达到最大程度的平坦化，能很好地控制浅沟漕隔离二氧化硅的厚度和形貌，避免由于沟漕尖角电场不均匀而引起的漏电，从而解决了现有工艺集成中的问题，达到良好的器件隔离。
一种超大规模集成电路隔离工艺方法

[发明专利]一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法-CN202210901510.0在审
发明人：李林;杨尚洁;杨永峰;张万垚 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法，在0.18pumCMOS工艺平台中，浅槽隔离形成的工艺过程为：首先完成氮化硅硬掩膜刻蚀，并以氮化硅作为硬掩膜完成硅片的干法刻蚀形成浅沟槽。然后采用化学气相沉积在浅沟槽中填充二氧化硅，并采用化学机械研磨去掉多余的二氧化硅，再通过磷酸全剥去除氮化硅，形成完整的浅槽隔离。本发明在湿法清洗工艺中引入硬掩膜回刻技术后，增加了二氧化硅介质的填充宽度，可在后续的湿法全剥工艺中抵消横向刻蚀作用；通过优化多步湿法腐蚀和清洗工艺解决浅槽隔离工艺制作过程中出现的凹坑残留问题，达到平坦化刻蚀提升器件的隔离性能
一种解决残留隔离工艺制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离工艺-CN201410357183.2有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离工艺，包括提供一半导体衬底，且在所述衬底上形成第一硬质掩膜层；在所述开口的侧壁表面依次形成有圆弧状氧化物侧墙以及第二硬质掩膜层；采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；对所述第二硬质掩膜层进行回刻，且在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述第一硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的第一硬质掩膜层的表面；采用刻蚀工艺去除所述第一硬质掩膜层，以形成浅沟槽隔离结构。本发明避免了接缝处的浅沟槽隔离结构与刻蚀溶液发生反应，进而避免在接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高半导体器件的电学性能。
沟槽隔离工艺

[发明专利]浅沟槽隔离工艺-CN201310354616.4有效
发明人：黄海辉;杨渝书;秦伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层本发明通过优化浅沟槽隔离刻蚀的工艺程式，减小硬掩模线宽，同时对沟槽顶端尖角的圆滑化处理可以保持有源区线宽不变，达到了与硬掩模回刻工艺相同的效果。因此，通过刻蚀过程的精确控制，就可以省掉硬掩模回刻工艺以及掩模回刻工艺后的清洗步骤，节省了工艺步骤，并降低了制造成本。
沟槽隔离工艺

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